台积电取得半导体结构专利，实现具有背栅晶体管的存储器装置

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金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“的专利，授权公告号CN220358101U，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本实用新型实施例涉及具有背栅晶体管的存储器装置。本实用新型实施例提供一种半导体结构。所述半导体结构包含：互连结构，其放置在衬底上方且包含含有晶体管的存储器装置。所述晶体管包含：栅极区，其在所述互连结构的第一金属化层及第二金属化层中的至少一者中；控制层，其包含在所述栅极区上方的栅极电介质层或数据存储层中的一者；沟道层，其在所述控制层上方；及所述晶体管的两个源极/漏极区，其在所述沟道层上方所述栅极区的相对侧上。所述栅极区及所述沟道层中的至少一者具有彼此平行且垂直于所述栅极区的底表面的两个片段。