台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存:功耗仅为类似技术百分之一
IT之家1月18日消息,台积电携手工业技术研究院(ITRI)在下一代MRAM存储器相关技术方面取得突破性进展,成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM),搭载创新运算架构,功耗仅为类似技术STT-MRAM的百分之一,成为台积电抢占AI、高性能运算(HPC)市场的新“杀...
IT之家1月18日消息,台积电携手工业技术研究院(ITRI)在下一代MRAM存储器相关技术方面取得突破性进展,成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM),搭载创新运算架构,功耗仅为类似技术STT-MRAM的百分之一,成为台积电抢占AI、高性能运算(HPC)市场的新“杀...